氮化鋁（AlN）是一種新型的電子絕緣基片材料，用于大型和超大型集成電路中。
Ⅰ.AlN的制備
（1）NH4Cl作為添加劑，受熱分解產(chǎn)生NH3和HCl氣體，其化學方程式為 NH4Cl △ NH3↑+HCl↑NH4Cl △ NH3↑+HCl↑。
（2）反應前先通N2，目的是 排盡裝置中的空氣，以免鋁粉和氧氣反應排盡裝置中的空氣，以免鋁粉和氧氣反應。
（3）如圖1，10001000℃時，產(chǎn)物中AlN純度最高。如圖2可以推斷最佳保溫時長為3小時而不是4小時的理由是 保溫3小時后，合成產(chǎn)物中含氮量不會再明顯增加（或變化不大），繼續(xù)保溫，浪費能量保溫3小時后，合成產(chǎn)物中含氮量不會再明顯增加（或變化不大），繼續(xù)保溫，浪費能量。
Ⅱ.AlN的質量分數(shù)測定
在生產(chǎn)過程中，氮化鋁樣品中常含有少量的氧化鋁雜質。某小組同學用圖1和圖1裝置組合來進行相關實驗，實驗前稱量1.0g樣品，根據(jù)反應中所生成氨氣的體積來測定樣品中的氮化鋁的質量分數(shù)（實驗中導管體積忽略不計）。
已知：①AlN+NaOH+H2O═NaAlO2+NH3↑
②Al2O3+2NaOH═2NaAlO2+H2O
（4）主要實驗步驟如下：a、往錐形瓶中放入適量的AlN樣品；b、打開分液漏斗活塞往錐形瓶中加入過量的濃NaOH；c、檢驗裝置氣密性；d、測定收集到水的體積。操作的先后順序是：c→a→ba→b（填“a→b”或“b→a”）→d
（5）裝置B中試劑X必須具備條件有 不會與氨氣反應，密度比水小不會與氨氣反應，密度比水小（至少寫出兩點）。
（6）虛線框中裝置適宜選用圖2中的裝置 DD（填“C”或“D”）。
（7）有同學認為實驗結束后，會有NH3殘留在裝置A中，不能完全排出，不需要不需要（填“需要”或“不需要”）通入N2將其中殘留的NH3排入后續(xù)裝置中。
（8）用圖1裝置測得的純度會偏大，如果將裝置A換成圖3中的裝置 EFGEFG（填字母），可以避免此誤差。
（9）若裝置經(jīng)過改進后，測得標準狀況下的NH3體積為0.44L。請計算該樣品中的AlN的質量分數(shù)。（已知氨氣的密度為：0.771g/L） （寫出計算過程）
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【答案】NH4Cl NH3↑+HCl↑；排盡裝置中的空氣，以免鋁粉和氧氣反應；1000；保溫3小時后，合成產(chǎn)物中含氮量不會再明顯增加（或變化不大），繼續(xù)保溫，浪費能量；a→b；不會與氨氣反應，密度比水小；D；不需要；EFG
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【解答】
【點評】
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