元素單質(zhì)及其化合物有廣泛用途，請(qǐng)根據(jù)周期表中第三周期元素相關(guān)知識(shí)回答下列問(wèn)題：
（1）按原子序數(shù)遞增的順序（稀有氣體除外），下列說(shuō)法正確的是

b

b

a.原子半徑和離子半徑均減小；             b.金屬性減弱，非金屬性增強(qiáng)；
c.氧化物對(duì)應(yīng)的水化物堿性減弱，酸性增強(qiáng)；  d.單質(zhì)的熔點(diǎn)降低．
（2）原子最外層電子數(shù)與次外層電子數(shù)相同的元素名稱(chēng)為

氬

氬

，氧化性最弱的簡(jiǎn)單陽(yáng)離子是

Na⁺

Na⁺

（3）已知：

化合物	MgO	Al2O3	MgCl2	AlCl3
類(lèi)型	離子化合物	離子化合物	離子化合物	共價(jià)化合物
熔點(diǎn)/℃	2800	2050	714	191

工業(yè)制鎂時(shí)，電解MgCl₂而不電解MgO的原因是

MgO的熔點(diǎn)高，熔融時(shí)消耗更多能量，增加生產(chǎn)成本

MgO的熔點(diǎn)高，熔融時(shí)消耗更多能量，增加生產(chǎn)成本

制鋁時(shí)，電解Al₂O₃而不電解AlCl₃的原因是

氯化鋁是共價(jià)化合物，熔融態(tài)氯化鋁難導(dǎo)電

氯化鋁是共價(jià)化合物，熔融態(tài)氯化鋁難導(dǎo)電

（4）晶體硅（熔點(diǎn)1410℃）是良好的半導(dǎo)體材料，由粗硅制純硅過(guò)程如下：
 Si（粗）

C

l

2

460

℃

SiCl₄

蒸餾

SiCl₄（純）

H

2

1100

℃

Si（純）
 寫(xiě)出SiCl₄的電子式：

．在上述由SiCl₄制純硅的反應(yīng)中，測(cè)得每生成1.12kg純硅需吸收a kJ熱量，寫(xiě)出該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式：

2H₂（g）+SiCl₄（g）

1100

℃

Si（s）+4HCl（g）△H=+0.025akJ?mol^-1

2H₂（g）+SiCl₄（g）

1100

℃

Si（s）+4HCl（g）△H=+0.025akJ?mol^-1

（5）P₂O₅是非氧化性干燥劑，下列氣體不能用濃硫酸干燥，可用P₂O₅干燥的是

b

b

a.NH₃   b.HI   c.SO₂   d.CO₂
（6）KClO₃可用于實(shí)驗(yàn)室制O₂，若不加催化劑，400℃時(shí)分解只生成兩種鹽，其中一種是無(wú)氧酸鹽，另一種鹽的陰陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比為1：1，寫(xiě)出該反應(yīng)的化學(xué)方程式：

4KClO₃

400

℃

KCl+3KClO₄

4KClO₃

400

℃

KCl+3KClO₄

．