鹵族元素是重要的非金屬元素，用途廣泛?；卮鹣铝袉?wèn)題：
（1）鹵族元素位于元素周期表 pp區(qū)，其中電負(fù)性最大的是 FF（填元素符號(hào)）。
（2）基態(tài)氟原子核外有 99種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同的電子，其中含有單電子的軌道形狀為 啞鈴形啞鈴形。
（3）溴元素對(duì)應(yīng)的含氧酸HBrO4酸性比HBrO3酸性 強(qiáng)強(qiáng)（填“強(qiáng)”或“弱”），原因是 HBrO4和HBrO3的通式為（OH）mBrOn，前者為（OH）BrO3，后者為（OH）BrO2，n值越大，酸性越強(qiáng)HBrO4和HBrO3的通式為（OH）mBrOn，前者為（OH）BrO3，后者為（OH）BrO2，n值越大，酸性越強(qiáng)。
（4）化合物I3AsF6為離子化合物，其中陽(yáng)離子（I3+）中心原子的雜化方式為 sp3雜化sp3雜化。該晶體中不含有的化學(xué)鍵類(lèi)型為 bb（填選項(xiàng)字母）。
a.配位鍵
b.金屬鍵
c.極性鍵
d.非極性鍵
（5）由鉀、氧、碘三種元素構(gòu)成的晶體晶胞結(jié)構(gòu)如圖1所示。則該晶體的化學(xué)式為 KIO3KIO3，晶胞中位置與K+緊鄰的O的個(gè)數(shù)為 1212。
（6）有“點(diǎn)缺陷”的NaCl晶體可導(dǎo)電，其結(jié)構(gòu)如圖2所示。有人認(rèn)為：高溫下有“點(diǎn)缺陷”的NaCl晶體能導(dǎo)電，是因?yàn)镹a+經(jīng)過(guò)一個(gè)由3個(gè)Cl-組成的最小三角形窗孔（如圖3所示），遷移到另一空位而造成的。已知立方體邊長(zhǎng)a=282pm,粒子半徑r（Na+）=115pm,r（Cl-）=167pm,計(jì)算內(nèi)切圓半徑r內(nèi)的值并判斷該觀點(diǎn)是否正確 r（內(nèi)）≈65pm＜115pm,該觀點(diǎn)是錯(cuò)誤的r（內(nèi)）≈65pm＜115pm,該觀點(diǎn)是錯(cuò)誤的。（已知：2≈1.4，3≈1.7）
2
3
【考點(diǎn)】晶胞的計(jì)算．
【答案】p；F；9；啞鈴形；強(qiáng)；HBrO4和HBrO3的通式為（OH）mBrOn，前者為（OH）BrO3，后者為（OH）BrO2，n值越大，酸性越強(qiáng)；sp3雜化；b；KIO3；12；r（內(nèi)）≈65pm＜115pm，該觀點(diǎn)是錯(cuò)誤的
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：32引用：2難度：0.4
相似題
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1．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉?wèn)題：
（1）基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類(lèi)型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知：C60晶胞棱長(zhǎng)為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成），則平均每一個(gè)C60晶胞中有個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿(mǎn)所有空隙后，這類(lèi)C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿(mǎn)所有空隙，距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4 -
2．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關(guān)信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個(gè)未成對(duì)電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個(gè)能層，K、L、M全充滿(mǎn)，最外層只有一個(gè)電子．
試回答下列問(wèn)題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為，F(xiàn)的價(jià)層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)填寫(xiě)），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應(yīng)式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍(lán)色沉淀溶解，得到深藍(lán)色溶液，再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇，析出深藍(lán)色晶體．藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結(jié)構(gòu)（面心立方）如圖2所示：已知兩個(gè)最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對(duì)原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
3．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱(chēng)摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱(chēng)為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號(hào)表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長(zhǎng)為a nm、FeS2相對(duì)式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7
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