由S、Cl 及Fe、Co、Ni 等過(guò)渡元素組成的新型材料有著廣泛的用途，回答下列問(wèn)題：
（1）鈷元素基態(tài)原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d74s2或[Ar]3d74s21s22s22p63s23p63d74s2或[Ar]3d74s2，P、S、C1的第一電離能由大到小順序?yàn)?!--BA-->Cl＞P＞SCl＞P＞S。
（2）SCl2 分子中的中心原子雜化軌道類型是sp3sp3，該分子空間構(gòu)型為V形V形。
（3）Fe、Co、Ni 等過(guò)渡元素易與CO 形成配合物，化學(xué)式遵循18 電子規(guī)則：中心原子的價(jià)電子數(shù)加上配體提供的電子數(shù)之和等于18，如Ni 與CO 形成配合物化學(xué)式為Ni （CO）4，則Fe 與CO 形成配合物化學(xué)式為Fe（CO）5Fe（CO）5。Ni（CO）4中σ鍵與π鍵個(gè)數(shù)比為1：11：1，已知：Ni（CO）4熔點(diǎn)-19.3℃，沸點(diǎn)43℃，則Ni （CO）4為分子分子晶體。
（4）已知NiO 的晶體結(jié)構(gòu)如圖1所示。
①NiO的晶體結(jié)構(gòu)可描述為：氧原子位于面心和頂點(diǎn)，氧原子可形成正八面體空隙和正四面體空隙，鎳原子填充在氧原子形成的空隙中。則NiO 晶體中鎳原子填充在氧原子形成的正八面正八面體空隙中。
②已知MgO與NiO的晶體結(jié)構(gòu)相同，其中Mg2+和Ni2+的離子半徑分別為66pm 和69pm。則熔點(diǎn)：MgO＞＞ NiO（ 填“＞”、“＜”或“=”），理由是Mg2+半徑比 Ni2+小，MgO 的晶格能比 NiO 大Mg2+半徑比 Ni2+小，MgO 的晶格能比 NiO 大。
③一定溫度下，NiO晶體可以自發(fā)地分散并形成“單分子層”，可以認(rèn)為O2-作密置單層排列，Ni2+填充O2-形成的正三角形空隙中（如圖2），已知O2-的半徑為am,每平方米面積上分散的NiO 的質(zhì)量為2532a2NA2532a2NAg.（用a、NA表示）
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a
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【考點(diǎn)】晶胞的計(jì)算．
【答案】1s22s22p63s23p63d74s2或[Ar]3d74s2；Cl＞P＞S；sp3；V形；Fe（CO）5；1：1；分子；正八面；＞；Mg2+半徑比 Ni2+小，MgO 的晶格能比 NiO 大；
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【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：30引用：4難度：0.5
相似題
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1．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關(guān)信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個(gè)未成對(duì)電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個(gè)能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個(gè)電子．
試回答下列問(wèn)題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為，F(xiàn)的價(jià)層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應(yīng)式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍(lán)色沉淀溶解，得到深藍(lán)色溶液，再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇，析出深藍(lán)色晶體．藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結(jié)構(gòu)（面心立方）如圖2所示：已知兩個(gè)最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對(duì)原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
2．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號(hào)表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長(zhǎng)為a nm、FeS2相對(duì)式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
3．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉?wèn)題：
（1）基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知：C60晶胞棱長(zhǎng)為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成），則平均每一個(gè)C60晶胞中有個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4