(1)下表是第三周期部分元素氧化物和氟化物的熔點(diǎn)和摩氏硬度:
化合物 | NaF | MgF2 | MgO | SiF4 | SiO2 |
熔點(diǎn)/K | 1266 | 1534 | 3125 | 183 | 1983 |
摩氏硬度 | 3.2 | 6.0 | 6.5 | 7 |
①基態(tài)硅原子的價(jià)電子排布式是
3s23p2
3s23p2
,SiO2中硅原子的雜化軌道類型是sp3
sp3
.②請解釋幾種氟化物熔點(diǎn)差異的主要原因
NaF與MgF2為離子晶體,SiF4為分子晶體,故SiF4的熔點(diǎn)低;Mg2+的半徑比Na+的半徑小,Mg2+帶2個(gè)單位正電荷數(shù)比Na+多,故MgF2的熔點(diǎn)比NaF高;
NaF與MgF2為離子晶體,SiF4為分子晶體,故SiF4的熔點(diǎn)低;Mg2+的半徑比Na+的半徑小,Mg2+帶2個(gè)單位正電荷數(shù)比Na+多,故MgF2的熔點(diǎn)比NaF高;
.③請解釋MgF2和MgO摩氏硬度差異的主要原因
因?yàn)镺2-所帶電荷多于F-,所以MgO晶體中離子的晶格能大于MgF2,故摩式硬度較大
因?yàn)镺2-所帶電荷多于F-,所以MgO晶體中離子的晶格能大于MgF2,故摩式硬度較大
.(2)等電子體CO與N2分子的結(jié)構(gòu)式可分別表示為C≡O(shè)和N≡N.兩者分子中有配位鍵的是
CO
CO
;結(jié)合事實(shí)判斷CO和N2相對更活潑的是CO,斷裂CO分子的第一個(gè)π鍵所需的能量(1071.9kJ/mol-798.9kJ/mol=273kJ/mol),比斷開N2的第一個(gè)化學(xué)鍵所需能量(941.7kJ/mol-418.4kJ/mol=523.3kJ/mol)小
CO,斷裂CO分子的第一個(gè)π鍵所需的能量(1071.9kJ/mol-798.9kJ/mol=273kJ/mol),比斷開N2的第一個(gè)化學(xué)鍵所需能量(941.7kJ/mol-418.4kJ/mol=523.3kJ/mol)小
(填化學(xué)式),試用下表中的鍵能數(shù)據(jù)解釋相對活潑的原因CO | C-O | C=O | C≡O(shè) |
鍵能(kJ?mol - 1 | 357.7 | 798.9 | 1071.9 |
N2 | N-N | N=N | N≡N |
鍵能(kJ?mol - 1 | 154.8 | 418.4 | 941.7 |
6NO+P4=3N2+P4O6
6NO+P4=3N2+P4O6
.(4)氫鍵的形成對物質(zhì)的性質(zhì)具有一定的影響. 比 的沸點(diǎn)
高
高
.(填高或低)【答案】3s23p2;sp3;NaF與MgF2為離子晶體,SiF4為分子晶體,故SiF4的熔點(diǎn)低;Mg2+的半徑比Na+的半徑小,Mg2+帶2個(gè)單位正電荷數(shù)比Na+多,故MgF2的熔點(diǎn)比NaF高;;因?yàn)镺2-所帶電荷多于F-,所以MgO晶體中離子的晶格能大于MgF2,故摩式硬度較大;CO;CO,斷裂CO分子的第一個(gè)π鍵所需的能量(1071.9kJ/mol-798.9kJ/mol=273kJ/mol),比斷開N2的第一個(gè)化學(xué)鍵所需能量(941.7kJ/mol-418.4kJ/mol=523.3kJ/mol)??;6NO+P4=3N2+P4O6;高
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布:2024/4/20 14:35:0組卷:23引用:1難度:0.1
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經(jīng)過灼燒而得其氧化物,如2LnCl3+3H2C2O4+nH2O=Ln2(C2O4)3?nH2O+6HCl。
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②H2O的VSEPR模型為
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①NH3分子中所含化學(xué)鍵是
②NH3分子的VSEPR模型名稱為
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