元素周期表中第四周期的某些過渡元素(如V、Zn、Co等)在生產(chǎn)、生活中有著廣泛的應(yīng)用。
(1)釩(V)及其化合物廣泛應(yīng)用于工業(yè)催化、新材料和新能源等領(lǐng)域。
①基態(tài)釩原子的外圍電子排布式為3d34s23d34s2。
②V2O5的結(jié)構(gòu)式如圖所示,則V2O5分子中σ鍵和π鍵數(shù)目之比為3:23:2。
(2)Co(NH3)5Cl3是鈷的一種配合物,中心離子的配位數(shù)為6,向100mL 0.2mol?L-1該配合物的溶液中加入足量AgNO3溶液,生成5.74g白色沉淀。
①NO3-的空間構(gòu)型為平面正三角形平面正三角形。
②則該配合物中配離子的化學(xué)式為[Co(NH3)5Cl]2+[Co(NH3)5Cl]2+。
(3)ZnF2是生成良好的光學(xué)基質(zhì)材料KZnF3的原料,ZnF2、KZnF3兩種晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。
①已知:ZnF2的熔點(diǎn)為872℃,ZnCl2的熔點(diǎn)為275℃,ZnBr2的熔點(diǎn)為394℃,ZnBr2的熔點(diǎn)高于ZnCl2的原因?yàn)?!--BA-->ZnBr2、ZnCl2都是不含氫鍵的分子晶體且相對(duì)分子質(zhì)量ZnBr2>ZnCl2ZnBr2、ZnCl2都是不含氫鍵的分子晶體且相對(duì)分子質(zhì)量ZnBr2>ZnCl2。
②KZnF3晶體(晶胞頂點(diǎn)為K+)中,與Zn2+最近且等距離的F-數(shù)為66。
③若NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值,則ZnF2晶體的密度為2.06×1023a2cNA2.06×1023a2cNAg/cm3。(用含a、c、NA的代數(shù)式表示)
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【答案】3d34s2;3:2;平面正三角形;[Co(NH3)5Cl]2+;ZnBr2、ZnCl2都是不含氫鍵的分子晶體且相對(duì)分子質(zhì)量ZnBr2>ZnCl2;6;
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【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:32引用:3難度:0.4
相似題
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1.鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
(1)基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為
(2)(NH4)2Fe(SO4)2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
③SO42-中S原子的雜化方式為
(3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
(4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長(zhǎng)為a nm、FeS2相對(duì)式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7 -
2.A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素,且原子序數(shù)依次增大,其相關(guān)信息如下:
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù);
②B、D原子的L層中都有兩個(gè)未成對(duì)電子;
③E元素原子最外層電子排布式為(n+1)Sn(n+1)Pn-1;
④F原子有四個(gè)能層,K、L、M全充滿,最外層只有一個(gè)電子.
試回答下列問題:
(1)基態(tài)E原子中,電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為
(2)B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
(3)B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性:BA4小于A2D,原因是
(4)以E、F的單質(zhì)為電極,組成如圖1所示的裝置,E極的電極反應(yīng)式為
(5)向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水,首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀,繼續(xù)滴加氨水,藍(lán)色沉淀溶解,得到深藍(lán)色溶液,再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇,析出深藍(lán)色晶體.藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為
(6)F的晶胞結(jié)構(gòu)(面心立方)如圖2所示:已知兩個(gè)最近的F的距離為acm,F的密度為發(fā)布:2025/1/18 8:0:1組卷:14引用:2難度:0.5 -
3.碳及其化合物有著重要用途?;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為
(2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
(3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型,比較三者鍵角的大小
(4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
(5)C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖,C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知:C60晶胞棱長(zhǎng)為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成),則平均每一個(gè)C60晶胞中有發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4