銅制印刷電路板蝕刻液的選擇及再生回收是研究熱點(diǎn)。
（1）用HCl-FeCl₃溶液作蝕刻液
①該溶液蝕刻銅板時(shí)發(fā)生主要反應(yīng)的離子方程式為

2Fe³⁺+Cu=2Fe²⁺+Cu²⁺

2Fe³⁺+Cu=2Fe²⁺+Cu²⁺

。
②從廢液中可回收銅并使蝕刻液再生。再生所用的試劑有Fe、

HCl

HCl

和

Cl₂

Cl₂

。（填化學(xué)式）
（2）用酸性HCl-H₂O₂溶液作蝕刻液：用上述溶液蝕刻銅板時(shí)發(fā)生主要反應(yīng)的離子方程式為

Cu+2H⁺+H₂O₂=Cu²⁺+2H₂O

Cu+2H⁺+H₂O₂=Cu²⁺+2H₂O

。
（3）用HCl-CuCl₂溶液作蝕刻液蝕刻銅后的廢液中含Cu⁺，用如圖-1所示方法可使蝕刻液再生并回收金屬銅。
第一步：BDD電極上生成強(qiáng)氧化性的氫氧自由基（HO﹒）：H₂O-e^-═HO﹒+H⁺：
第二步：HO﹒氧化Cu⁺實(shí)現(xiàn)CuCl蝕刻液再生：

H⁺+Cu⁺+?OH=Cu²⁺+H₂O

H⁺+Cu⁺+?OH=Cu²⁺+H₂O

。（填離子方程式）

（4）用堿性CuCl₂溶液（用NH₃?H₂O-NH₄Cl調(diào)節(jié)pH）作蝕刻液
原理為：CuCl₂+4NH₃?H₂O═Cu（NH₃）₄Cl₂+4H₂O；Cu（NH₃）₄Cl₂+Cu═2Cu（NH₃）₂Cl
①過(guò)程中只須及時(shí)補(bǔ)充N(xiāo)H₃?H₂O和NH₄Cl就可以使蝕刻液再生，保持蝕刻能力。蝕刻液再生過(guò)程中作氧化劑的是

O₂

O₂

。（填化學(xué)式）
②50℃，c（CuCl₂）=2.5mol?L^-1，pH對(duì)蝕刻速率的影響如圖-2所示。適宜pH約為8.3～9.0，pH過(guò)小或過(guò)大，蝕刻速率均會(huì)減小的原因是

pH太低，NH₃?H₂O濃度小，Cu²⁺和生成Cu⁺不能形成對(duì)應(yīng)的配合物，pH太高，Cu²⁺或Cu⁺會(huì)轉(zhuǎn)化為難溶性堿（堿式鹽）。

pH太低，NH₃?H₂O濃度小，Cu²⁺和生成Cu⁺不能形成對(duì)應(yīng)的配合物，pH太高，Cu²⁺或Cu⁺會(huì)轉(zhuǎn)化為難溶性堿（堿式鹽）。

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