GaN是制造5G芯片的材料，氮化鎵鋁和氮化鋁LED可發(fā)出紫外光?；卮鹣铝袉?wèn)題：
（1）基態(tài)As原子核外電子排布式為[Ar]3d104s24p33d104s24p3，下列狀態(tài)的鋁中，電離最外層的一個(gè)電子所需能量最小是 DD（填標(biāo)號(hào)）。
A.
B.
C.
D.
（2）8-羥基喹啉鋁（分子式C27H18AlN3O3）用于 發(fā)光材料及電子傳輸材料，可由LiAlH4與
（8一羥基喹啉）合成。LiAlH4中陰離子的空間構(gòu)型為 正四面體正四面體；
所含元素中電負(fù)性最大的是 OO（填元素符號(hào)），C、N、O的雜化方式依次為 sp2sp2、sp2sp2和 sp3sp3。
（3）已知下列化合物的熔點(diǎn)：
| 化合物 | AlF3 | GaF3 | AlCl3 |
| 熔點(diǎn)/℃ | 1040 | 1000 | 194 |
AlF3、GaF3為離子晶體，AlCl3為分子晶體，晶格能：AlF3＞GaF3
AlF3、GaF3為離子晶體，AlCl3為分子晶體，晶格能：AlF3＞GaF3
。②熔融AlCl3時(shí)可生成具有揮發(fā)性的二聚體Al2Cl6，二聚體Al2Cl6的結(jié)構(gòu)式為
4
4
。【答案】3d104s24p3；D；正四面體；O；sp2；sp2；sp3；AlF3、GaF3為離子晶體，AlCl3為分子晶體，晶格能：AlF3＞GaF3；；4
；4【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：5引用：1難度：0.6
相似題
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1．回答下列問(wèn)題
（1）肼（N2H4）分子可視為NH3分子中的一個(gè)氫原子被-NH2取代形成的另一種氮的氫化物。
①NH3分子的空間結(jié)構(gòu)是；N2H4分子中氮原子軌道的雜化類型是。
②肼可用作火箭燃料，燃燒時(shí)發(fā)生的反應(yīng)是N2O4（l）+2N2H4（l）=3N2（g）+4H2O（g）ΔH=-1038.7kJ?mol-1，若該反應(yīng)中有4molN-H斷裂，則形成的π鍵有mol。
③肼能與硫酸反應(yīng)生成N2H6SO4，N2H6SO4與硫酸銨化合物類型相同，則N2H6SO4晶體不存在（填標(biāo)號(hào)）。
a.離子鍵
b.共價(jià)鍵
c.范德華力
（2）第ⅥA族元素氧、硫、硒（Se）的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
①H2Se的還原性比H2S（填“強(qiáng)”或“弱”）。氣態(tài)SeO3分子的空間結(jié)構(gòu)為，SO2的VSEPR模型為，空間結(jié)構(gòu)為。
②H2O內(nèi)的O-H、水分子間的范德華力和氫鍵，從強(qiáng)到弱依次為，H+可與H2O形成H3O+，H3O+中O采用雜化，H3O+中H-O-H鍵角比H2O中的（填“大”或“小”）發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：20引用：1難度：0.6 -
2．下列化學(xué)用語(yǔ)或圖示正確的是（ ）
發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：22引用：1難度：0.5 -
3．當(dāng)?shù)貢r(shí)間2020年1月30日晚，世界衛(wèi)生組織（WHO）宣布，將新型冠狀病毒疫情列為國(guó)際關(guān)注的突發(fā)公共衛(wèi)生事件，防疫專家表示，75%的醫(yī)用酒精、含氯消毒劑（如84消毒液等）可以有效殺滅病毒，佩戴口罩能有效減少感染新冠的危險(xiǎn)。下列有關(guān)說(shuō)法正確的是（ ?。?/h2>
發(fā)布：2025/1/6 6:0:5組卷：6引用：1難度：0.7
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