硅及其化合物在生產(chǎn)生活中有廣泛應(yīng)用。根據(jù)所學(xué)知識(shí)，回答下列問題：
（1）三甲基鹵硅烷[（CH3）3SiX，X為Cl、Br、I]是重要的化工原料。
①氯元素基態(tài)原子的價(jià)電子排布式為 3s23p53s23p5；按照核外電子排布對(duì)元素周期表分區(qū)，溴元素位于 pp區(qū)；基態(tài)硅原子中有 1414種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同的電子。
②Br、I的第一電離能的大小關(guān)系：I1（Br） 大于大于I1（I）（填“大于”“小于”或“等于”）。
③常溫下，（CH3）3SiI中Si-I鍵比（CH3）3SiC1中Si-Cl鍵易斷裂的原因是 I原子半徑比Cl的原子半徑大，導(dǎo)致Si-I鍵鍵能較小，較易斷裂；而Si-Cl鍵鍵能較大，較不易斷裂I原子半徑比Cl的原子半徑大，導(dǎo)致Si-I鍵鍵能較小，較易斷裂；而Si-Cl鍵鍵能較大，較不易斷裂。
（2）（CH3）3SiC1可作為如圖有機(jī)合成反應(yīng)的催化劑。
①1個(gè)有機(jī)物A分子中采取sp2雜化的碳原子有 77個(gè)。
②有機(jī)物B的沸點(diǎn)低于對(duì)羥基苯甲醛（
）的沸點(diǎn)，其原因是 鄰羥基苯甲醛主要形成分子內(nèi)氫鍵，而對(duì)羥基苯甲醛只能形成分子間氫鍵，所以后者的熔點(diǎn)高于前者鄰羥基苯甲醛主要形成分子內(nèi)氫鍵，而對(duì)羥基苯甲醛只能形成分子間氫鍵，所以后者的熔點(diǎn)高于前者。
③CH3CN中σ鍵與π鍵的個(gè)數(shù)比為 5：25：2。
（3）一種鈦硅碳新型材料可用作高鐵車體與供電網(wǎng)的連接材料。該材料的晶胞屬于六方晶系（a、b方向的夾角為120°，c方向垂直于a、b方向，棱長(zhǎng)a=b≠c），如圖甲所示；晶胞中碳原子的投影位置如圖乙所示。
①該鈦硅碳新型材料的化學(xué)式為 Ti3SiC2Ti3SiC2。
②已知該新型材料的密度為4.51g?cm-3，且a、b的長(zhǎng)度均為307pm,阿伏加德羅常數(shù)的值用NA表示，則c的長(zhǎng)度為 392NA×32×3072×4.51×10-30392NA×32×3072×4.51×10-30pm（列出計(jì)算式）。
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【答案】3s23p5；p；14；大于；I原子半徑比Cl的原子半徑大，導(dǎo)致Si-I鍵鍵能較小，較易斷裂；而Si-Cl鍵鍵能較大，較不易斷裂；7；鄰羥基苯甲醛主要形成分子內(nèi)氫鍵，而對(duì)羥基苯甲醛只能形成分子間氫鍵，所以后者的熔點(diǎn)高于前者；5：2；Ti3SiC2；
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【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：67引用：1難度：0.6
相似題
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1．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關(guān)信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個(gè)未成對(duì)電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個(gè)能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個(gè)電子．
試回答下列問題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為，F(xiàn)的價(jià)層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應(yīng)式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍(lán)色沉淀溶解，得到深藍(lán)色溶液，再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇，析出深藍(lán)色晶體．藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結(jié)構(gòu)（面心立方）如圖2所示：已知兩個(gè)最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對(duì)原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
2．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號(hào)表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長(zhǎng)為a nm、FeS2相對(duì)式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
3．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知：C60晶胞棱長(zhǎng)為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成），則平均每一個(gè)C60晶胞中有個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4
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