第ⅢA族元素及其化合物有著很多優(yōu)良的性能和特性，在半導體、太陽能、合金、超導等領域有著廣泛的應用?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)鎵的核外電子占據(jù)的最高能層符號為 NN，能量最高的電子占據(jù)的原子軌道電子云輪廓為 啞鈴啞鈴形。
（2）鋁與同周期相鄰的兩元素相比，第一電離能由大到小的順序為 Si＞Mg＞AlSi＞Mg＞Al（用元素符號表示）。
（3）BH3分子的空間構型為 平面三角形平面三角形，H3BO3顯酸性的原因類似于NH3顯堿性的原因，請寫出H3BO3的電離方程式 H3BO3+H2O?H++B（OH）4-H3BO3+H2O?H++B（OH）4-。
（4）已知硼酸鈉的結構如圖1所示，其中硼原子的雜化類型為 sp2sp2。
（5）砷化鎵的立方晶胞結構如圖2所示，已知砷化鎵晶胞邊長為anm,砷化鎵晶體的密度為dg?cm-3，則砷化鎵的摩爾質量為 （a×10-7）3×d×NA4（a×10-7）3×d×NA4g?mol-1（設NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，列出計算式即可）。
（6）以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標系可以表示晶胞中各原子的位置，稱為原子的分數(shù)坐標。晶胞中有幾個微粒就有幾個該微粒的分數(shù)坐標，比如砷化鎵晶胞中有4個鎵原子，其分數(shù)坐標分別為（0，0，0）、（12，12，0）、（12，0，12）和 （0，12，12）（0，12，12）。
（
a
×
10
-
7
）
3
×
d
×
N
A
4
（
a
×
10
-
7
）
3
×
d
×
N
A
4
1
2
1
2
1
2
1
2
1
2
1
2
1
2
1
2
【答案】N；啞鈴；Si＞Mg＞Al；平面三角形；H3BO3+H2O?H++B（OH）4-；sp2；；（0，，）
（
a
×
10
-
7
）
3
×
d
×
N
A
4
1
2
1
2
【解答】
【點評】
聲明：本試題解析著作權屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書面同意，不得復制發(fā)布。
發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：64引用：3難度：0.5
相似題
-
1．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學研究方面應用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計算表達式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
2．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個電子．
試回答下列問題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為，F(xiàn)的價層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負性由大到小的順序為（用元素符號填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍色沉淀溶解，得到深藍色溶液，再向深藍色透明溶液中加入乙醇，析出深藍色晶體．藍色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結構（面心立方）如圖2所示：已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對原子質量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
3．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結構如圖，C60分子處于頂點和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點構成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點構成），則平均每一個C60晶胞中有個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4