已知短周期元素M、N、X、Y、Z分布在三個周期，N、X最外層電子數(shù)相同，Z原子序數(shù)大于X，其中Z的簡單離子半徑在同周期中最小，X單質(zhì)極易與常見無色無味液態(tài)物質(zhì)發(fā)生置換反應(yīng)且作氧化劑，在短周期中Y的最高價氧化物對應(yīng)水化物的堿性最強?；卮鹣铝袉栴}：
（1）Y在周期表中的位置是

第三周期ⅠA族

第三周期ⅠA族

，寫出YM的電子式：

。
（2）N、X、Y、Z簡單離子的半徑由大到小的順序（用對應(yīng)離子符號表示）：

Cl^-＞F^-＞Na⁺＞Al³⁺

Cl^-＞F^-＞Na⁺＞Al³⁺

。
（3）在YZO₂與YX的混合液中，通入足量CO₂，是工業(yè)制取Y₃ZX₆的一種方法，寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式：

NaAlO₂+6NaF+4CO₂+2H₂O=Na₃AlF₆+4NaHCO₃

NaAlO₂+6NaF+4CO₂+2H₂O=Na₃AlF₆+4NaHCO₃

。
（4）鎵（₃₁Ga）的化合物氮化鎵（GaN）和砷化鎵（GaAs）作為第三代半導(dǎo)體材料，具有耐高溫、耐高電壓等特性，隨著5G技術(shù)的發(fā)展，它們的商用價值進入“快車道”。
①下列有關(guān)說法正確的是

bc

bc

。
a.Ga位于元素周期表第四周期ⅣA族
b.Ga為門捷列夫預(yù)言的“類鋁”
c.Ga的最高價氧化物對應(yīng)水化物的堿性比Z元素最高價氧化物對應(yīng)水化物的堿性強
d.酸性：H₃AsO₄＞H₃PO₄＞HNO₃
②廢棄的含GaAs的半導(dǎo)體材料可以用濃硝酸溶解，放出NO₂氣體，同時生成H₃AsO₄和Ga（NO₃）₃，寫出該反應(yīng)應(yīng)的化學(xué)方程式為

GaAs+11HNO₃（濃）=H₃AsO₄+8NO₂↑+Ga（NO₃）₃+4H₂O

GaAs+11HNO₃（濃）=H₃AsO₄+8NO₂↑+Ga（NO₃）₃+4H₂O

。
（5）YZM₄是有機合成的重要還原劑，其合成路線如圖所示。

利用YZM₄遇水反應(yīng)生成的氫氣的體積測定YZM₄樣品純度。
其反應(yīng)原理：YZM₄+M₂O→YZO₂+M₂（未配平）。
現(xiàn)設(shè)計如圖四種裝置測定YZM₄樣品的純度（假設(shè)雜質(zhì)不參與反應(yīng)）：

①從簡約性、準(zhǔn)確性考慮，最適宜的方案是

乙

乙

（填編號）。
②取樣品ag,若實驗測得氫氣的體積為VmL（標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)），則YZM₄樣品純度為

54

V

×

1

0

-

3

89

.

6

a

×100%

54

V

×

1

0

-

3

89

.

6

a

×100%

（用代數(shù)式表示）。