半導體芯片的關鍵材料是我國優(yōu)先發(fā)展的新材料。經過半個多世紀的發(fā)展，硅基材料的半導體器件性能已經接近其物理極限，以碳化硅、氯化鎵等為代表的第二代半導體材料成為當今熱點。
回答如下問題：
（1）上述材料所涉及的四種元素中，原子半徑最大的是 GaGa（填元素符號，下同），這四種元素中第一電離能最大的是 NN，基態(tài)Si原子的電子占據的軌道數目是 88個。
（2）硅酸根SiO44-的空間構型是 正四面體正四面體，其中Si的價層電子對數目為 44、雜化軌道類型為 sp3sp3。
（3）上述材料所涉及的四種元素對應的單質中，熔沸點最低的是 N2N2，原因是 N2為分子晶體，分子之間是較弱的范德華力結合N2為分子晶體，分子之間是較弱的范德華力結合。
（4）GaN被譽為21世紀引領5G時代的基石材料，是目前全球半導體研究的前沿和熱點。有一種氮化鎵的六方晶胞結構如圖所示，請在圖中構建一個以Ga原子為中心的四面體結構（涂成◎）
（5）材料密度是制作芯片的重要參數之一，已知Si的共價半徑是125pm。求每立方厘米體積的單晶硅中硅的原子數目為 4.2×10224.2×1022（保留 2位有效數字）。
【答案】Ga；N；8；正四面體；4；sp3；N2；N2為分子晶體，分子之間是較弱的范德華力結合；4.2×1022
【解答】
【點評】
聲明：本試題解析著作權屬菁優(yōu)網所有，未經書面同意，不得復制發(fā)布。
發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：12引用：1難度：0.4
相似題
-
1．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數依次增大，其相關信息如下：
①A的周期序數等于其主族序數；
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個電子．
試回答下列問題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據的最高能層符號為，F的價層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負性由大到小的順序為（用元素符號填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現藍色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍色沉淀溶解，得到深藍色溶液，再向深藍色透明溶液中加入乙醇，析出深藍色晶體．藍色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結構（面心立方）如圖2所示：已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數用NA表示，F的相對原子質量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14難度：0.5 -
2．鐵及其化合物在生產生活及科學研究方面應用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數為；晶體的配位體為（用化學符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數的值為NA，其晶體密度的計算表達式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
3．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數目和π鍵數目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結構如圖，C60分子處于頂點和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點構成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點構成），則平均每一個C60晶胞中有個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4
把好題分享給你的好友吧~~