如圖一是元素周期表的一部分:
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(1)寫(xiě)出元素①的元素符號(hào) AsAs,與①同周期的主族元素中,第一電離能比①大的有 11種。
(2)基態(tài)銻(Sb)原子的價(jià)電子排布式為 5s25p35s25p3。[H2F]+[SbF6]-(氟酸銻)是一種超強(qiáng)酸,則[H2F]+的空間結(jié)構(gòu)為 V形V形。
(3)下列說(shuō)法正確的是 cdcd(填字母)。
a.N2H4分子中含5個(gè)σ鍵和1個(gè)π鍵
b.基態(tài)P原子中,電子占據(jù)的最高能級(jí)符號(hào)為M
c.Sb位于p區(qū)
d.升溫實(shí)現(xiàn)液氨→氨氣→氮?dú)夂蜌錃庾兓碾A段中,微粒間破壞的主要的作用力依次是氫鍵、極性共價(jià)鍵
(4)GaN、GaP都是很好的半導(dǎo)體材料,晶體類(lèi)型與晶體硅類(lèi)似,熔點(diǎn)如下表所示,解釋GaN、GaP熔點(diǎn)變化原因 兩者屬于原子晶體,原子半徑N<P,鍵長(zhǎng)Ga-N<Ga-P,鍵能Ga-N>Ga-P,故熔點(diǎn):GaN>GaP兩者屬于原子晶體,原子半徑N<P,鍵長(zhǎng)Ga-N<Ga-P,鍵能Ga-N>Ga-P,故熔點(diǎn):GaN>GaP。
物質(zhì) | GaN | GaP |
熔點(diǎn)/℃ | 1700 | 1480 |
①晶胞中Ga原子采用六方最密堆積方式,每個(gè)Ga原子周?chē)嚯x最近的Ga原子數(shù)目為
12
12
;②從GaN晶體中分割出的平行六面體如圖二2。若該平行六面體的體積為
2
84
2
N
A
a
3
84
2
N
A
a
3
【答案】As;1;5s25p3;V形;cd;兩者屬于原子晶體,原子半徑N<P,鍵長(zhǎng)Ga-N<Ga-P,鍵能Ga-N>Ga-P,故熔點(diǎn):GaN>GaP;12;
84
2
N
A
a
3
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布:2024/4/20 14:35:0組卷:48引用:2難度:0.5
相似題
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1.X、Y、Z、M、N均為短周期主族元素,原子序數(shù)依次增大。X是宇宙中含量最高的元素,YX3分子呈三角錐形,Z的價(jià)電子排布式為nsnnpn+2,五種元素中M的電負(fù)性最小,N的最高價(jià)含氧酸酸性最強(qiáng)。下列說(shuō)法正確的是( ?。?/h2>
發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:47引用:1難度:0.5 -
2.已知A、B、C、D、E、F、G都是短周期的元素,它們的原子序數(shù)依次遞增.A原子的電子層數(shù)與它的核外電子總數(shù)相同,而B(niǎo)原子的最外層電子數(shù)是次外層的2倍,C的氫化物可使?jié)駶?rùn)的紅色石蕊試紙變藍(lán),B和D可以形成兩種氣態(tài)化合物,E原子核外電子總數(shù)比B的2倍少1,D與F同主族,G的原子半徑是本周期元素中最小的.則:
(1)A元素為
(2)由上述元素形成的10電子分子有
(3)由B和D以質(zhì)量比為3:8組成的化合物與E的同周期相鄰主族元素的單質(zhì)反應(yīng)的化學(xué)方程式為
(4)G單質(zhì)與E的最高價(jià)氧化物的水化物反應(yīng)的離子方程式為
(5)B、C、D形成的氣態(tài)氫化物中,較穩(wěn)定的是
(6)由A、C、G形成的離子化合物的化學(xué)式是發(fā)布:2024/12/30 18:30:1組卷:7引用:3難度:0.5 -
3.A、B、C、D、E為原子序數(shù)依次增大的五種短周期元素;A是宇宙中最豐富的元素且與E同主族;B位于元素周期表ⅣA族;C在元素周期表中與B、D相鄰;D基態(tài)原子的s軌道與p軌道的電子總數(shù)相等且p軌道有2個(gè)未成對(duì)的電子;E是短周期中原子半徑最大的元素;F原子核外電子數(shù)為29.回答下列問(wèn)題:
(1)F基態(tài)原子的核外電子排布式為
(2)A、B、C、D、E五種元素中,電負(fù)性最小的元素為
(3)A、B可形成多種化合物,其中相對(duì)分子質(zhì)量為28的分子,其中心原子的雜化方式為
(4)化合物BD2和E2D2的晶體類(lèi)型分別為
(5)F單質(zhì)為面心立方晶體,若F的相對(duì)原子質(zhì)量為M,阿伏加德羅常數(shù)為NA,晶胞邊長(zhǎng)為a cm,則晶體F的密度ρ=發(fā)布:2025/1/18 8:0:1組卷:27引用:2難度:0.3