C和Si元素在化學中占有極其重要的地位。
（1）寫出Si的基態(tài)原子核外最外層電子排布式 3s23p23s23p2，C、O、Si三種元素的電負性由大到小的順序為 O＞C＞SiO＞C＞Si。
（2）干冰是分子晶體，其密度比冰大的原因是 干冰晶體屬于分子密堆積，分子間只有范德華力；而冰晶體屬于分子非密堆積，分子間的主要作用力是氫鍵，水分子的空間利用率不高，留有相當大的空隙，所以干冰的密度比冰大干冰晶體屬于分子密堆積，分子間只有范德華力；而冰晶體屬于分子非密堆積，分子間的主要作用力是氫鍵，水分子的空間利用率不高，留有相當大的空隙，所以干冰的密度比冰大。SiC晶體的結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為 sp3sp3。
（3）氧化物XO的電子總數(shù)與SiC的相等，則X為 MgMg（填元素符號），XO是優(yōu)良的耐高溫材料，其熔點比CaO高的原因是 Mg2+半徑比Ca2+小，MgO的晶格能大Mg2+半徑比Ca2+小，MgO的晶格能大。
（4）向盛有硫酸銅水溶液的試管中加氨水，先形成藍色沉淀，繼續(xù)加入氨水沉淀溶解，得到深藍色透明溶液。在這個過程中先生成藍色沉淀，后沉淀溶解的原因是：向盛有硫酸銅水溶液的試管里加入氨水，首先生成氫氧化銅沉淀，Cu2++2NH3?H2O=Cu（OH）2↓+2NH4+，氫氧化銅與氨水發(fā)生反應：Cu（OH）2+4NH3?H2O=[Cu（NH3）4]2++2OH-+4H2O，沉淀溶解向盛有硫酸銅水溶液的試管里加入氨水，首先生成氫氧化銅沉淀，Cu2++2NH3?H2O=Cu（OH）2↓+2NH4+，氫氧化銅與氨水發(fā)生反應：Cu（OH）2+4NH3?H2O=[Cu（NH3）4]2++2OH-+4H2O，沉淀溶解。
（5）如圖表示的是SiO2的晶胞結(jié)構(gòu)（白圈代表硅原子，黑點代表氧原子），判斷在30g二氧化硅晶體中含 22molSi-O鍵。如果該立方體的邊長為acm,用NA表示阿伏加德羅常數(shù)，則SiO2晶體的密度表達式為 480NAa3480NAa3g/cm3。
480
N
A
a
3
480
N
A
a
3
【答案】3s23p2；O＞C＞Si；干冰晶體屬于分子密堆積，分子間只有范德華力；而冰晶體屬于分子非密堆積，分子間的主要作用力是氫鍵，水分子的空間利用率不高，留有相當大的空隙，所以干冰的密度比冰大；sp3；Mg；Mg2+半徑比Ca2+小，MgO的晶格能大；向盛有硫酸銅水溶液的試管里加入氨水，首先生成氫氧化銅沉淀，Cu2++2NH3?H2O=Cu（OH）2↓+2NH4+，氫氧化銅與氨水發(fā)生反應：Cu（OH）2+4NH3?H2O=[Cu（NH3）4]2++2OH-+4H2O，沉淀溶解；2；
480
N
A
a
3
【解答】
【點評】
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發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：10引用：1難度：0.5
相似題
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1．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關(guān)信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個電子．
試回答下列問題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為，F(xiàn)的價層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負性由大到小的順序為（用元素符號填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍色沉淀溶解，得到深藍色溶液，再向深藍色透明溶液中加入乙醇，析出深藍色晶體．藍色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結(jié)構(gòu)（面心立方）如圖2所示：已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
2．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學研究方面應用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計算表達式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
3．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點構(gòu)成），則平均每一個C60晶胞中有個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4
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